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CY62136VNLL-70BAI

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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • 制造商
  • Cypress Semiconductor
  • 功能描述
CY62136VNLL-70BAI 技術參數
  • CY62136VNLL-55ZSXAT 功能描述:靜態隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 128K X 16 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62136VNLL-55ZSXA 功能描述:靜態隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 128K X 16 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62136VLL-70ZSXET 功能描述:IC SRAM 2MBIT 70NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CY62136VLL-70ZSXE 功能描述:IC SRAM 2MBIT 70NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CY62136FV30LL-55ZSXET 功能描述:靜態隨機存取存儲器 SLo 3.0V SUPER LoPwr 1MEGX16 PbFree 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62137CV30LL-70BVXET CY62137CVSL-70BAXI CY62137CVSL-70BAXIT CY62137EV30LL-45BVXI CY62137EV30LL-45BVXIT CY62137EV30LL-45ZSXI CY62137EV30LL-45ZSXIT CY62137FV18LL-55BVXI CY62137FV18LL-55BVXIT CY62137FV30LL-45BVI CY62137FV30LL-45BVIT CY62137FV30LL-45BVXI CY62137FV30LL-45BVXIT CY62137FV30LL-45ZSXA CY62137FV30LL-45ZSXAT CY62137FV30LL-45ZSXI CY62137FV30LL-45ZSXIT CY62137FV30LL-55ZSXE
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