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CY7C1512AV18200BZXC

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CY7C1512AV18200BZXC 技術參數(shù)

CY7C1512AV18-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512AV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512AV18-167BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512AV18-167BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512AV18-167BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512JV18-267BZIT CY7C1512KV18-200BZXC CY7C1512KV18-250BZC CY7C1512KV18-250BZCT CY7C1512KV18-250BZI CY7C1512KV18-250BZIT CY7C1512KV18-250BZXC CY7C1512KV18-250BZXI CY7C1512KV18-250BZXIT CY7C1512KV18-300BZC CY7C1512KV18-300BZI CY7C1512KV18-300BZIT CY7C1512KV18-300BZXC CY7C1512KV18-300BZXI CY7C1512KV18-333BZC CY7C1512KV18-333BZI CY7C1512KV18-333BZXC CY7C1512KV18-333BZXI