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DDTA114TCADI

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  • DDTA114TCADI
    DDTA114TCADI

    DDTA114TCADI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • DIODES

  • SOT-23

  • 11+

  • -
  • 100%進口原裝正品,只做原裝

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DDTA114TCADI 技術參數
  • DDTA114GUA-7-F 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):- 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 DDTA114GUA-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):- 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 DDTA114GCA-7-F 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):- 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 DDTA114EUA-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA 頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 DDTA113TE-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):1k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:3,000 DDTA114WUA-7-F DDTA114YCA-7 DDTA114YCA-7-F DDTA114YE-7-F DDTA114YKA-7-F DDTA114YLP-7 DDTA114YUA-7 DDTA114YUA-7-F DDTA115ECA-7 DDTA115ECA-7-F DDTA115EE-7-F DDTA115EKA-7-F DDTA115EUA-7 DDTA115EUA-7-F DDTA115GCA-7 DDTA115GCA-7-F DDTA115GE-7-F DDTA115GKA-7-F
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