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DN74LS37

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  • 操作
  • DN74LS374N
    DN74LS374N

    DN74LS374N

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室

  • 8000

  • FAIRCHILD/仙童

  • DIP20

  • 21+

  • -
  • 代理渠道假一賠十,全網最低價。

  • DN74LS373
    DN74LS373

    DN74LS373

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • PAN

  • DIP

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  • DN74LS373WM
    DN74LS373WM

    DN74LS373WM

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 250000

  • NS

  • SOP20

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  • -
  • 質量保障假一罰十

  • DN74LS374N
    DN74LS374N

    DN74LS374N

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • NSC

  • 標準封裝

  • 08+

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  • 全新原裝100%正品保證質量

  • DN74LS374N
    DN74LS374N

    DN74LS374N

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

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    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

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  • 制造商
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  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • Quad 2-input NAND Gate
DN74LS37 技術參數
  • DN6149-101K 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 520mA 700 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN6149,Coev 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:100μH 容差:±10% 額定電流:520mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):700 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.240" 長 x 0.217" 寬(6.10mm x 5.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.193"(4.90mm) 標準包裝:1,000 DN6149-100M 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 1.44A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN6149,Coev 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.44A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):100 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.240" 長 x 0.217" 寬(6.10mm x 5.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.193"(4.90mm) 標準包裝:1,000 DN4835-470K 功能描述:47μH Unshielded Wirewound Inductor 540mA 844 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN4835,Coev 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±10% 額定電流:540mA 電流 - 飽和值:540mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):844 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.189" 長 x 0.169" 寬(4.80mm x 4.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.138"(3.50mm) 標準包裝:2,000 DN4835-1R0M 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 3.8A 33 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN4835,Coev 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:3.8A 電流 - 飽和值:3.8A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):33 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.189" 長 x 0.169" 寬(4.80mm x 4.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.138"(3.50mm) 標準包裝:2,000 DN3694GFPV 功能描述:IC H8/3694 MCU EEPROM 64-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:H8® H8/300H 微型 產品培訓模塊:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 標準包裝:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心處理器:M32C/80 芯體尺寸:16/32-位 速度:32MHz 連通性:EBI/EMI,I²C,IEBus,IrDA,SIO,UART/USART 外圍設備:DMA,POR,PWM,WDT 輸入/輸出數:121 程序存儲器容量:384KB(384K x 8) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 數據轉換器:A/D 34x10b,D/A 2x8b 振蕩器型:內部 工作溫度:-20°C ~ 85°C 封裝/外殼:144-LQFP 包裝:托盤 產品目錄頁面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87 DN8140-180M DN8140-181K DN8140-220M DN8140-221K DN8140-270M DN8140-271K DN8140-330M DN8140-331K DN8140-390M DN8140-470M DN8140-560K DN8140-680K DN8140-820K DN8155-100K DN8155-101K DN8155-120K DN8155-121K DN8155-150K
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