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DQ1280221M

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DQ1280221M 技術參數

DQ1280-102M 功能描述:1mH Shielded Inductor 550mA 1.82 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:1mH 容差:±20% 額定電流:550mA 電流 - 飽和值:550mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.82 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 DQ1280-101M 功能描述:100μH Shielded Inductor 1.7A 220 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:1.7A 電流 - 飽和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:220 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 DQ1280-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 5.4A 22 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:5.4A 電流 - 飽和值:5.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:22 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 DQ1260-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 580mA 770 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1260，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:580mA 電流 - 飽和值:580mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:770 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:1 DQ1260-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 1.8A 75 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1260，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:75 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:1 DQ1280-470M DQ1280-471M DQ1280-4R7M DQ1280-560M DQ1280-561M DQ1280-680M DQ1280-681M DQ1280-6R1M DQ1280-6R8M DQ1280-7R6M DQ1280-820M DQ1280-821M DQ2001-9R DQ2001-9RG DQ2320-7R DQ2320-9R DQ2320-9RB1 DQ2320-9RG