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DRA9114E-X

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DRA9114E-X 技術參數
  • DRA74-R33-R 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 7.26A 5.4 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:330nH 容差:±20% 額定電流:7.26A 電流 - 飽和值:18.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:5.4 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 165°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.299" 長 x 0.299" 寬（7.60mm x 7.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.171"（4.35mm） 標準包裝:1 DRA74-8R2-R 功能描述:8.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.66A 40 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:8.2μH 容差:±20% 額定電流:2.66A 電流 - 飽和值:3.17A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 165°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.299" 長 x 0.299" 寬（7.60mm x 7.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.171"（4.35mm） 標準包裝:1 DRA74-821-R 功能描述:820μH Shielded Wirewound Inductor 279mA 3.63 Ohm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:820μH 容差:±20% 額定電流:279mA 電流 - 飽和值:327mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:3.63 歐姆 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 165°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.299" 長 x 0.299" 寬（7.60mm x 7.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.171"（4.35mm） 標準包裝:1 DRA74-820-R 功能描述:82μH Shielded Wirewound Inductor 879mA 367 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:82μH 容差:±20% 額定電流:879mA 電流 - 飽和值:1.034A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:367 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 165°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.299" 長 x 0.299" 寬（7.60mm x 7.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.171"（4.35mm） 標準包裝:1 DRA74-6R8-R 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 2.91A 34 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:2.91A 電流 - 飽和值:3.68A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:34 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 165°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.299" 長 x 0.299" 寬（7.60mm x 7.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.171"（4.35mm） 標準包裝:1 DRA9124T0L DRA9124X0L DRA9143E0L DRA9143T0L DRA9143X0L DRA9143Y0L DRA9143Z0L DRA9144E0L DRA9144T0L DRA9144V0L DRA9144W0L DRA9152Z0L DRA9A14Y0L DRA9A24E0L DRAC16H DRAC16HB DRAC16P DRA-CN024D05
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