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DS115T

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DS115T 技術參數

DS1145-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 750mA 425 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1145，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:750mA 電流 - 飽和值:750mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:425 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.421" 長 x 0.323" 寬（10.70mm x 8.20mm）高度 - 安裝（最大值）:0.177"（4.50mm）標準包裝:1 DS1145-101M 功能描述:100μH Shielded Inductor 500mA 1.05 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1145，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:500mA 電流 - 飽和值:500mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.05 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.421" 長 x 0.323" 寬（10.70mm x 8.20mm）高度 - 安裝（最大值）:0.177"（4.50mm）標準包裝:1 DS1145-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.5A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1145，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:1.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.421" 長 x 0.323" 寬（10.70mm x 8.20mm）高度 - 安裝（最大值）:0.177"（4.50mm）標準包裝:1 DS1137-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 550mA 580 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1137，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:550mA 電流 - 飽和值:550mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:580 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.421" 長 x 0.323" 寬（10.70mm x 8.20mm）高度 - 安裝（最大值）:0.146"（3.70mm）標準包裝:1 DS1137-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 165 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1137，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:165 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.421" 長 x 0.323" 寬（10.70mm x 8.20mm）高度 - 安裝（最大值）:0.146"（3.70mm）標準包裝:1 DS1190N+T DS1190NEVKIT# DS12 DS1200 DS1-20-0001 DS1-20-0002 DS1-20-0003 DS1200-3 DS1200-3-002 DS1200-3-003 DS1200DC-3 DS1200DC-3-002 DS1200DC-3-005 DS1200HE-3 DS1200HE-3-002 DS1200HE-3-003 DS1200HE-3-004 DS1201