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E-L6561D013TR(PBFREE)

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    E-L6561D013TR(PBFREE)

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室

  • 20000

  • ST

  • T&R SO8 3.9MM

  • 2007

  • -
  • 現貨庫存Q

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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E-L6561D013TR(PBFREE) 技術參數
  • E-L6561D 功能描述:功率因數校正 IC Wide Input Voltage RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel E-L6561 功能描述:功率因數校正 IC Wide Input Voltage RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel E-L6386D013TR 功能描述:功率驅動器IC Hi-Volt Hi-Low Side RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube E-L6386D 功能描述:功率驅動器IC Hi-Volt Hi-Low Side RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube E-L6385D013TR 功能描述:功率驅動器IC Hi-Volt Hi-Low Side RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube E-L6574D E-L6574D013TR E-L6598D013TR E-L6902D E-L6910 E-L6910A E-L6910ATR E-L6911C E-L6911E E-L6917BD E-L6919E E-L6919ETR E-L6920D E-L6920DTR E-L6925D E-L6925D013TR E-L6926 E-L6932D1.2
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