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ECH8419-TL-H

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

ECH8419-TL-H
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
92674
onsemi
8-SMD, Flat Lead
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

ECH8419-TL-H
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
3200
ON Semiconductor
ROHS
1308+
-
全新原裝現貨庫存！400-800-030...

ECH8419-TL-H
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
6755
ON Semiconductor
8-SMD，扁平引線
201321
-
原裝正品，現貨庫存。400-800-03...

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： ECH8420-TL-H ECH8501-TL-H ECH8502-TL-H ECH8503-TL-H ECH8601M-C-TL-H ECH8601M-C-TL-HX ECH8601M-TL-H ECH8601M-TL-H-P ECH8602M-TL-H

ECH8419-TL-H PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

ECH8419-TL-H PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 35V 9A ECH8
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
-
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

ECH8419-TL-H 技術參數

ECH8411-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 4A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8402-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8306-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 2A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:225 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8305-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1680pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8304-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3180pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8619-TL-E ECH8620-TL-E ECH8649-TL-H ECH8651R-R-TL-H ECH8651R-TL-H ECH8651R-TL-HX ECH8652-TL-H ECH8653-S-TL-H ECH8653-TL-H ECH8654-TL-H ECH8654-TL-HQ ECH8655R-R-TL-H ECH8655R-TL-H ECH8656-TL-H ECH8657-TL-H ECH8659-M-TL-H ECH8659-TL-H ECH8659-TL-HX