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ECH8619

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說明
操作

ECH8619-TL-E
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
3260
SANYO
20+
-
自家庫存，歡迎咨詢

ECH8619-TL-E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
SANYO
MSOP8
最新批號
-
代理此型號.原裝特價現貨！

ECH8619-TL-E
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生
電話：13487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
61138
onsemi
8-SMD, Flat Lead
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

ECH8619-TL-E
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
sanyO
msop-8
15+
-
原裝正品，假一罰十

ECH8619-TL-E
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
8215
SANYO
MSOP8
10+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共27條
1

您是不是要找： ECH8619-TL-E ECH8620-TL-E ECH8649-TL-H ECH8651R-R-TL-H ECH8651R-TL-H ECH8651R-TL-HX ECH8652-TL-H ECH8653-S-TL-H ECH8653-TL-H

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制造商
SANYO
制造商全稱
Sanyo Semicon Device
功能描述
N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device

ECH8619 技術參數

ECH8411-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 4A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8402-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8306-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 2A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:225 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8305-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1680pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8304-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3180pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H ECH8654-TL-HQ ECH8655R-R-TL-H ECH8655R-TL-H ECH8656-TL-H ECH8657-TL-H ECH8659-M-TL-H ECH8659-TL-H ECH8659-TL-HX ECH8659-TL-W ECH8660-S-TL-H ECH8660-TL-H ECH8661-TL-H ECH8662-TL-H ECH8663R-TL-H ECH8664R-TL-H ECH8667-TL-H ECH8667-TL-HX