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EPC2152ENGRT

配單專家企業名單

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批號
價格
說明
操作

EPC2152ENGRT
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
2400
EPC
12-WFLGA
22+
-

EPC2152ENGRT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
EPC
12-LGA（3.85x2.59）
21+
-
全新原裝、現貨庫存，歡迎詢價

EPC2152ENGRT
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
EPC
12-LGA（3.85x2.59）
21+
-
全新原裝、現貨庫存，歡迎詢價

EPC2152ENGRT
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
EPC
12-LGA（3.85x2.59）
21+
-
全新原裝、現貨庫存，歡迎詢價

EPC2152ENGRT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
495
EPC
N/A
20+
-
瑞智芯只做原裝

EPC2152ENGRT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業執照
466
EPC
20
-
瑞智芯只有原裝

EPC2152ENGRT
深圳市軒盛達電子有限公司
深圳市軒盛達電子有限公司
聯系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現貨，代找緊缺料

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EPC2152ENGRT 技術參數

EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 15A，5V，8 毫歐 @ 15A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2111 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 15A，5V，8 毫歐 @ 15A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2110ENGRT 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2110 功能描述:MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）標準包裝:1 EPC2108ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:3 N 溝道（半橋 + 同步自舉） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:60V，100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 2.5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.22nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:22pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR