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EPC27

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  • EPC27I32
    EPC27I32

    EPC27I32

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室

  • 2669

  • ST

  • 原廠

  • 21+

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  • 百分百進口原裝現貨,價格有優勢。

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
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  • 制造商
  • TDK
  • 制造商全稱
  • TDK Electronics
  • 功能描述
  • Ferrite Cores For Power Supply and Signal Transformer EPC Cores
EPC27 技術參數
  • EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 15A,5V,8 毫歐 @ 15A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.2nC @ 5V,5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):230pF @ 15V,590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2111 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 15A,5V,8 毫歐 @ 15A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.2nC @ 5V,5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):230pF @ 15V,590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2110ENGRT 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源極電壓(Vdss):120V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 4A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 700μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2110 功能描述:MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):120V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 4A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 700μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 標準包裝:1 EPC2108ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:3 N 溝道(半橋 + 同步自舉) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源極電壓(Vdss):60V,100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.7A,500mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 2.5A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 200μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.22nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):22pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR
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