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EPC8820ARC208-3

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  • EPC8820ARC208-3
    EPC8820ARC208-3

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 4000

  • ALTERA

  • QFP

  • 07/08+

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  • 全新原裝100%正品保證質量

  • EPC8820ARC208-3
    EPC8820ARC208-3

    EPC8820ARC208-3

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 4000

  • ALTERA

  • QFP

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  • EPC8820ARC208-3
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  • 深圳市芯睿晨科技有限公司
    深圳市芯睿晨科技有限公司

    聯系人:李小姐/肖先生

    電話:0755-8257149682571956

    地址:賽格廣場69樓6900

    資質:營業執照

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  • ALTERA

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EPC8820ARC208-3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
EPC8820ARC208-3 技術參數
  • EPC8010ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 500mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.48nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):55pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:模具 標準包裝:10 EPC8010 功能描述:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 500mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.48nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):55pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC8009ENGR 功能描述:TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態:過期 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):65V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):138 毫歐 @ 500mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.38nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):47pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:10 EPC8009 功能描述:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):65V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 500mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.45nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):52pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC8008ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):325 毫歐 @ 500mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.18nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):25pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:10 EPC9003C EPC9004 EPC9004C EPC9005 EPC9005C EPC9006 EPC9006C EPC9010 EPC9010C EPC9013 EPC9014 EPC9016 EPC9017 EPC9018 EPC9019 EPC9022 EPC9023 EPC9024
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