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ESMG100E□□221ME11D

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ESMG100E□□221ME11D 技術(shù)參數(shù)

ESM6045DV 功能描述:TRANS NPN DARL 450V 84A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:84A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.35V @ 4A，70A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 70A，5V 功率 - 最大值:250W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 ESM6045AV 功能描述:TRANS NPN DARL 450V 72A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.3V @ 2.4A，60A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 60A，5V 功率 - 最大值:250W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 ESM5045DV 功能描述:TRANS NPN DARL 450V 60A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 2.8A，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 50A，5V 功率 - 最大值:175W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 ESM4045DV 功能描述:TRANS NPN DARL 450V 42A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:42A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 2A，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 35A，5V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:100 ESM3030DV 功能描述:TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 2.4A，85A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 85A，5V 功率 - 最大值:225W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 ESMG100ELL330ME11D ESMG100ELL331MF11D ESMG100ELL332MK20S ESMG100ELL333MQ40S ESMG100ELL470ME11D ESMG100ELL471MF11D ESMG100ELL472MK25S ESMG100ELL682ML25S ESMG100ETC101ME11D ESMG100ETD470ME11D ESMG101ELL100MF11D ESMG101ELL101MJ20S ESMG101ELL102MM40S ESMG101ELL102MN35S ESMG101ELL122MM40S ESMG101ELL122MP40S ESMG101ELL182MQ40S ESMG101ELL1R0ME11D