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F1170

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制造商
POLYFET
制造商全稱
Polyfet RF Devices
功能描述
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

F1170 技術(shù)參數(shù)

F-116X 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件狀態(tài):有效類型:疊片核心電壓 - 初級:115V 電壓 - 次級（滿負(fù)載）:24V 電流 - 輸出（最大值）:200mA 初級繞組:單一次級繞組:單一中心抽頭:是功率 - 最大值:4.8 VA 安裝類型:底座安裝端子類型:導(dǎo)線引線大小/尺寸:60.32mm 長 x 38.10mm 寬高度 - 安裝（最大值）:34.93mm 電壓 - 隔離:1500Vrms 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 F1162NBGI 功能描述:RF Mixer IC General Purpose Down Converter 2.3GHz ~ 2.7GHz 36-VFQFPN (6x6) 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:Zero-Distortion? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 RF 類型:通用頻率:2.3GHz ~ 2.7GHz 混頻器數(shù):2 增益:8.9dB 噪聲系數(shù):9.9dB 輔助屬性:降頻變頻器電流 - 電源:330mA 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 封裝/外殼:36-WFQFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:36-VFQFPN（6x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:490 F-115X 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件狀態(tài):有效類型:疊片核心電壓 - 初級:115V 電壓 - 次級（滿負(fù)載）:24V 電流 - 輸出（最大值）:85mA 初級繞組:單一次級繞組:單一中心抽頭:是功率 - 最大值:2.04 VA 安裝類型:底座安裝端子類型:導(dǎo)線引線大小/尺寸:52.37mm 長 x 34.93mm 寬高度 - 安裝（最大值）:30.15mm 電壓 - 隔離:1500Vrms 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 F1152NBGI 功能描述:RF Mixer IC General Purpose Down Converter 1.4GHz ~ 2.2GHz 36-VFQFPN (6x6) 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:Zero-Distortion? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 RF 類型:通用頻率:1.4GHz ~ 2.2GHz 混頻器數(shù):2 增益:8.5dB 噪聲系數(shù):10dB 輔助屬性:降頻變頻器電流 - 電源:327mA 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 封裝/外殼:36-WFQFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:36-VFQFPN（6x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:490 F1150NBGI 功能描述:RF Mixer IC General Purpose Down Converter 1.7GHz ~ 2.2GHz 36-VFQFPN (6x6) 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:Zero-Distortion? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 RF 類型:通用頻率:1.7GHz ~ 2.2GHz 混頻器數(shù):2 增益:8.5dB 噪聲系數(shù):10dB 輔助屬性:降頻變頻器電流 - 電源:334mA 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 封裝/外殼:36-WFQFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:36-VFQFPN（6x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:490 F1199AA10 F1199AA20 F1199BB02 F1199BB03 F1199BB06 F1199BB10 F1199DD10 F1199DD20 F1199DD30 F-119X F120-010 F120-020 F120-050 F1200AA01 F1200AA03 F1200AA06 F1200AA10 F1200AA20