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F1E50VX3

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  • F1E50VX3
    F1E50VX3

    F1E50VX3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SOT-263

  • 最新批號(hào)

  • -
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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET Mosfet
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
F1E50VX3 技術(shù)參數(shù)
  • F-198U 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件狀態(tài):有效 類型:疊片核心 電壓 - 初級(jí):115V 電壓 - 次級(jí)(滿負(fù)載):15.5V,32V 電流 - 輸出(最大值):6A,1A 初級(jí)繞組:單一 次級(jí)繞組:雙 中心抽頭:是 功率 - 最大值:122 VA 安裝類型:底座安裝 端子類型:導(dǎo)線引線 大小/尺寸:80.95mm 長(zhǎng) x 79.38mm 寬 高度 - 安裝(最大值):95.25mm 電壓 - 隔離:1500Vrms 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8 F1978NCGK 功能描述:DIGITAL STEP ATTENUATOR 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:* 零件狀態(tài):在售 封裝/外殼:20-WFQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:490 F1977NBGI 功能描述:RF Attenuator 31.75dB ±0.1dB 5MHz ~ 3GHz 75 Ohm 32-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態(tài):有效 衰減值:31.75dB 容差:±0.1dB 頻率范圍:5MHz ~ 3GHz 功率(W):- 阻抗:75 歐姆 封裝/外殼:32-WFQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:490 F1977EVS 功能描述:EVALUATION SOLUTION FOR F1977 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態(tài):有效 類型:衰減器 頻率:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:F1977 所含物品:板 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 F1977EVBI 功能描述:EVAL BOARD FOR F1977 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態(tài):有效 類型:衰減器 頻率:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:F1977 所含物品:板 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 F1RBXO-6408-10F F1RBXO-6408-10S F1RBXO-9608-10F F1RBXO-9608-10S F1RBZN-1B08-10F F1RBZN-1B08-10S F1RBZN-6408-10F F1RBZN-6408-10S F1RBZN-9608-10F F1RBZN-9608-10S F1RBZO-1B08-10F F1RBZO-1B08-10S F1RBZO-6408-10F F1RBZO-6408-10S F1RBZO-9608-10F F1RBZO-9608-10S F1RCXN-6408-10F F1RCXN-6408-10S
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