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FDN306P-Q

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    FDN306P-Q

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

  • 6500

  • FAI

  • SOT23

  • 09+

  • -
  • 絕對公司原裝現貨

  • FDN306P-Q
    FDN306P-Q

    FDN306P-Q

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • FAIRCHILD

  • 08+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
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FDN306P-Q 技術參數
  • FDMS2380 功能描述:MOSFET Dual Integ Solenoid RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube FDMF8705 功能描述:功率驅動器IC MLP 8X8 DRIVER PLUS FET MULTI-CHIP MODU RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube FDMF8704V 功能描述:功率驅動器IC Driver plus FET w/5v reg RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube FDMF8704 功能描述:功率驅動器IC Driver plus FET Multi-chip Module RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube FDMF8700 功能描述:功率驅動器IC Driver plus FET Multi-chip Module RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube FDN340P_F095 FDN342P FDN352AP FDN357N FDN358P FDN359AN FDN359BN FDN359BN_F095 FDN360P FDN360P_F095 FDN361AN FDN361BN FDN371N FDN372S FDN537N FDN5618P FDN5630 FDN5630_F095
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