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FW501

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  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • FW501
    FW501

    FW501

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • MT

  • BGA

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • FW501-TL-E
    FW501-TL-E

    FW501-TL-E

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • SANYO

  • LS現貨

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • FW501
    FW501

    FW501

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • MT

  • BGA

  • 99+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • FW5012-760
    FW5012-760

    FW5012-760

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • Inventus Power

  • 原廠封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共22條 
  • 1
FW501 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO
FW501 技術參數
  • FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):45V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A,4.5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):37 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A,5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):45V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 毫歐 @ 8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:軍用,MIL-R-5757/10,FW,CII 包裝:散裝 零件狀態:在售 繼電器類型:通用 線圈類型:無鎖存 線圈電流:- 線圈電壓:26.5VDC 觸頭外形:DPDT(2 C 型) 額定接觸(電流):2A 開關電壓:28VDC - 標稱 導通電壓(最大值):13 VDC 關閉電壓(最小值):2.3 VDC 工作時間:6ms 釋放時間:6ms 特性:- 安裝類型:底座安裝 端子類型:焊接鉤 觸頭材料:- 線圈功率:- 線圈電阻:- 工作溫度:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 FW50A22R0JA FW50A33R0JA FW50A47R0JA FW50A4R70JA FW50A5R10JA FW50A68R0JA FW50A6R80JA FW50A82R0JA FW5200002Z FW520WFMT1 FW5A1101G00 FW5A11145G01 FW5A1196S11 FW5A1201G00 FW5A1220D00 FW5A1220G00 FW5A1296S02 FW6012-D5F
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