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GI850/MR850

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制造商
NTE Electronics
功能描述
R- 50 PRV 3A

GI850/MR850 技術參數

GI818 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:750ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:4,000 GHXS060A120S-D4 功能描述:DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GHXS060A120S-D3 功能描述:MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 60A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GHXS050A060S-D4 功能描述:DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 600V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GHXS050A060S-D3 功能描述:DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 600V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GI911-E3/54 GI912-E3/54 GI912-E3/73 GI914-E3/54 GI916-E3/54 GI917-E3/54 GIB1401-E3/81 GIB1401HE3/45 GIB1401HE3/81 GIB1402-E3/45 GIB1402-E3/81 GIB1402HE3/45 GIB1402HE3/81 GIB1403-E3/81 GIB1403HE3/45 GIB1403HE3/81 GIB1404-E3/81 GIB1404HE3/45