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GL157

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  • 制造商
  • GTM
  • 制造商全稱
  • GTM
  • 功能描述
  • PNP SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
GL157 技術參數
  • GL110KA7B115 功能描述:11μH Unshielded Wirewound Inductor 115mA 7 Ohm Nonstandard 制造商:avx corporation 系列:GL 包裝:散裝 零件狀態:過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:11μH 容差:±10% 額定電流:115mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:7 歐姆 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.182"?長 x 0.072" 方椎體（4.62mm x 1.83mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 標準包裝:1 GL100MN1MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，無引線 標準包裝:1 GL100MN1MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:通用 工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝，直角 封裝/外殼:2-SMD，無引線 標準包裝:1 GL100MN0MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，無引線 標準包裝:1 GL100MN0MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:通用 工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝，直角 封裝/外殼:2-SMD，無引線 標準包裝:1 GL15T-G3-18 GL15T-HE3-08 GL15T-HE3-18 GL15T-HG3-08 GL15T-HG3-18 GL160F23CDT GL160F23CET GL160F23IDT GL160F23IET GL160F33CDT GL160F33CET GL160F33IDT GL160F33IET GL160F35CDT GL160F35CET GL160F35IDT GL160F35IET GL163F23CDT
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