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HIP2100EIBZTCT

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HIP2100EIBZTCT 技術參數

HIP2100EIBZT 功能描述:功率驅動器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP2100EIBZ 功能描述:功率驅動器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP2100EIBT 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 8SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP2100EIB 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP1020CKZ-T 功能描述:熱插拔功率分布 DEVICE BAY PWR CNTRLR RoHS:否制造商:Texas Instruments 產品:Controllers & Switches 電流限制: 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 0.3 V 工作溫度范圍: 功率耗散: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MSOP-8 封裝:Tube HIP2100IR4T HIP2100IR4Z HIP2100IR4ZT HIP2100IRT HIP2100IRZ HIP2100IRZT HIP2101EIB HIP2101EIBT HIP2101EIBZ HIP2101EIBZT HIP2101IB HIP2101IBT HIP2101IBZ HIP2101IBZT HIP2101IBZT7A HIP2101IR HIP2101IR4 HIP2101IR4T