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HIP6602ACR

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  • 型號
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  • 封裝
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  • 價格
  • 說明
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  • HIP6602ACR
    HIP6602ACR

    HIP6602ACR

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 6600

  • INTERSIL

  • QFN16

  • 21+

  • -
  • 量大價優,100%原廠原裝現貨,熱賣庫存...

  • HIP6602ACR
    HIP6602ACR

    HIP6602ACR

  • 深圳市深科創科技有限公司
    深圳市深科創科技有限公司

    聯系人:吳先生/吳小姐/朱先生

    電話:0755-832472900755-828652018324751083223957

    地址:深圳市福田區航都大廈17F1可提供13%增值稅發票

  • 7500

  • INTERSIL

  • QFN16

  • 2020+

  • -
  • 全新原裝現貨 渠道優勢庫存 假一罰十

  • HIP6602ACR
    HIP6602ACR

    HIP6602ACR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INT

  • QFN

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • HIP6602ACR
    HIP6602ACR

    HIP6602ACR

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • INTERSIL

  • QFN

  • 02+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品,質量保障

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
HIP6602ACR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • - Bulk
HIP6602ACR 技術參數
  • HIP6601BECBZ-T 功能描述:功率驅動器IC SYNCHRONUSCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BECBZA-T 功能描述:功率驅動器IC W/ANNEAL SYNCHRONUSC BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BECBZA 功能描述:功率驅動器IC W/ANNEAL SYNCHRONUSC BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BECBZ 功能描述:功率驅動器IC SYNCHRONUSCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BECB-T 功能描述:IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP6602BCRZ-T HIP6603BCB HIP6603BCB-T HIP6603BCBZ HIP6603BCBZ-T HIP6603BECB HIP6603BECB-T HIP6603BECBZ HIP6603BECBZ-T HIP6604BCR HIP6604BCR-T HIP6604BCRZ HIP6604BCRZ-T HIP9011AB HIP9011ABT HIP9011ABZ HIP9011ABZT HIP9011EVAL1Z
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