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HIP6602QI

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HIP6602QI
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
HAR
原廠封裝
09/10+
-

HIP6602QI
北京元坤偉業科技有限公司
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聯系人：劉先生
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地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
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原廠封裝
09/10+
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全新原裝100%正品保證質量

HIP6602QI
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
HAR
SOP
13+
-
全新原裝，現貨，價優！

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HIP6602QI PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

HIP6602QI 技術參數

HIP6602BCRZ-T 功能描述:功率驅動器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6602BCRZA-T 功能描述:功率驅動器IC W/ANL DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6602BCRZA 功能描述:功率驅動器IC W/ANNEAL DL CH SYNCH CT BUCK MOSF DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6602BCRZ 功能描述:功率驅動器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6602BCR-T 功能描述:IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP6604BCR-T HIP6604BCRZ HIP6604BCRZ-T HIP9011AB HIP9011ABT HIP9011ABZ HIP9011ABZT HIP9011EVAL1Z HIR11-21C/L11/TR8 HIR16-213C/L423/TR8 HIR19-21C/L11/TR8 HIR204 HIR204/H0 HIR204C HIR204C/H0 HIR234C HIR30-01C/S16 HIR323C