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HMC348LP3 HITTITE

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HMC348LP3 HITTITE 技術參數
  • HMC347-SX 功能描述:RF Switch IC VSAT SPDT 20GHz 50 Ohm Die 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:生命周期結束 頻率?- 下:0Hz 頻率?- 上:20GHz 隔離 @ 頻率:45dB @ 20GHz(標準) 插損 @ 頻率:1.7dB @ 20GHz IIP3:43dBm(標準) 拓撲:吸收性 電路:SPDT P1dB:23dBm(標準) IP1dB 特性:- 阻抗:50 歐姆 工作溫度:-55°C ~ 85°C 電壓 - 電源:- RF 類型:VSAT 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:2 HMC347LP3ETR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 14GHz 50 Ohm 16-QFN (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:生命周期結束 頻率?- 下:DC 頻率?- 上:14GHz 隔離 @ 頻率:38dB @ 14GHz(標準) 插損 @ 頻率:1.9dB @ 14GHz IIP3:43dBm(標準) 拓撲:吸收性 電路:SPDT P1dB:23dBm(標準) IP1dB 特性:- 阻抗:50 歐姆 工作溫度:-55°C ~ 85°C 電壓 - 電源:- RF 類型:通用 封裝/外殼:16-VFQFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:16-QFN(3x3) 標準包裝:1 HMC347LP3E 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 14GHz 50 Ohm 16-QFN (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:生命周期結束 頻率?- 下:DC 頻率?- 上:14GHz 隔離 @ 頻率:38dB @ 14GHz(標準) 插損 @ 頻率:1.9dB @ 14GHz IIP3:43dBm(標準) 拓撲:吸收性 電路:SPDT P1dB:23dBm(標準) IP1dB 特性:- 阻抗:50 歐姆 工作溫度:-55°C ~ 85°C 電壓 - 電源:- RF 類型:通用 封裝/外殼:16-VFQFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:16-QFN(3x3) 標準包裝:1 HMC347C8TR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 8GHz 50 Ohm 8-CSMD 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:生命周期結束 頻率?- 下:DC 頻率?- 上:8GHz 隔離 @ 頻率:40dB @ 6GHz(標準) 插損 @ 頻率:2dB @ 6 GHz IIP3:43dBm(標準) 拓撲:- 電路:SPDT P1dB:23dBm 特性:- 阻抗:50 歐姆 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電壓 - 電源:5V RF 類型:通用 封裝/外殼:8-CSOIC(0.154",3.90mm 寬)裸焊盤 供應商器件封裝:8-CSMD 標準包裝:1 HMC347C8 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 8GHz 50 Ohm 8-CSMD 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:生命周期結束 頻率?- 下:DC 頻率?- 上:8GHz 隔離 @ 頻率:40dB @ 6GHz(標準) 插損 @ 頻率:2dB @ 6 GHz IIP3:43dBm(標準) 拓撲:- 電路:SPDT P1dB:23dBm 特性:- 阻抗:50 歐姆 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電壓 - 電源:5V RF 類型:通用 封裝/外殼:8-CSOIC(0.154",3.90mm 寬)裸焊盤 供應商器件封裝:8-CSMD 標準包裝:1 HMC351S8 HMC351S8E HMC351S8ETR HMC351S8TR HMC356LP3 HMC356LP3E HMC356LP3ETR HMC356LP3TR HMC3587LP3BE HMC3587LP3BETR HMC358MS8GE HMC358MS8GETR HMC35DRAH HMC35DRAH-S734 HMC35DRAI HMC35DRAI-S734 HMC35DRAN HMC35DRAN-S734
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