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HYB5117400BJ-60

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操作

HYB5117400BJ-60
深圳市湘達電子有限公司
深圳市湘達電子有限公司
聯系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室
689
SIEMENS
原廠
21+
-
百分百進口原裝現貨，價格有優勢。

HYB5117400BJ-60
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
SIEMENS
SOJ
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

HYB5117400BJ-60
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
66890
SIEMENS
SOJ24
22+
-
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

HYB5117400BJ-60
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐
電話：1916620305713760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
66890
SIEMENS
SOJ24
22+
-
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

HYB5117400BJ-60
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
INF
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

HYB5117400BJ-60
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
SIE
2011
-
假一罰十，百分百原裝正品，質量保障

1/1頁 40條/頁共29條
1

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制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
4M x 4-Bit Dynamic RAM

HYB5117400BJ-60 技術參數

HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D128800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線）電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤供應商設備封裝:8-DFN（2x3）包裝:管件產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) HYPERLOG60100 HYPERLOG7025 HYPERLOG7060 HYS64T128021HDL-3S-B HYS72T128000HR-3S-B HYS72T128420HFA-3S-B HYT100 HYT100D HYT15CME HYT30CME HYT50 HYT50CME HYX1 HYX2 HYX3 HYX4 HYX5 HZ0201A601R-11

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