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HYM321160S

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HYM321160S PDF下載

制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
1M x 32-Bit Dynamic RAM Module

HYM321160S 技術(shù)參數(shù)

HYI39S128800FE-7 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-MBit Synchronous DRAM HYI25D512160CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D128800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYT100D HYT15CME HYT30CME HYT50 HYT50CME HYX1 HYX2 HYX3 HYX4 HYX5 HZ0201A601R-11 HZ0402A152R-10 HZ0402A182R-10 HZ0402A601R-00 HZ0402A601R-10 HZ0402B102R-10 HZ0402C102R-10 HZ0402C601R-10

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