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IDT7099-S15J

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

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IDT7099-S15J 技術參數
  • IDT709389L9PFI8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT709389L9PFI 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT709389L9PF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT709389L9PF 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT709389L7PF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70P3517S250RM IDT70P3519S166BFGI IDT70P3537S233RM IDT70P3537S233RMI IDT70P3537S250RM IDT70T3319S133DD IDT70T3319S133DDI IDT70T3319S166DD IDT70T3399S133DD IDT70T3399S133DDI IDT70T3399S166DD IDT70T631S10DD IDT70T631S12DD IDT70T631S12DDI IDT70T631S15DD IDT70T633S10DD IDT70T633S12DD IDT70T633S12DDI
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