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IDT71016S12PHI8

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

IDT71016S12PHI8
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
42518
Renesas Electronics Ameri
44-TSOP (0.400", 10.
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

IDT71016S12PHI8
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
56865
Renesas Electronics Corpo
44-TSOP (0.400", 10.
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

IDT71016S12PHI8
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
IDT, Integrated Device Te
標準封裝
16+
-
假一罰十

IDT71016S12PHI8
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機優(yōu)先微信同號)0755-83267816
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
10001
IDT, Integrated Device Te
44-TSOP（0.400"，10.16
12+
-
授權分銷現(xiàn)貨熱賣

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IDT71016S12PHI8 PDF下載

功能描述
IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP
RoHS
否
類別
集成電路 (IC) >> 存儲器
系列
-
產(chǎn)品變化通告
Product Discontinuation 26/Apr/2010
標準包裝
136
系列
-
格式 - 存儲器
RAM
存儲器類型
SRAM - 同步，DDR II
存儲容量
18M（1M x 18）
速度
200MHz
接口
并聯(lián)
電源電壓
1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度
0°C ~ 70°C
封裝/外殼
165-TBGA
供應商設備封裝
165-CABGA（13x15）
包裝
托盤
其它名稱
71P71804S200BQ

IDT71016S12PHI8 技術參數(shù)

IDT71016S12PHI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT71016S12PHGI8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT71016S12PHGI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT71016S12PH8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT71016S12PH 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT71016S15PHI8 IDT71016S15Y IDT71016S15Y8 IDT71016S15YI IDT71016S15YI8 IDT71016S20PH IDT71016S20PH8 IDT71016S20PHI IDT71016S20PHI8 IDT71016S20Y IDT71016S20Y8 IDT71016S20YI IDT71016S20YI8 IDT71024MS15Y IDT71024MS15Y8 IDT71024S12TY IDT71024S12TY8 IDT71024S12TYI