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IDT7143LA20J

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  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • IDT7143LA20JG
    IDT7143LA20JG

    IDT7143LA20JG

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • IDT7143LA20J
    IDT7143LA20J

    IDT7143LA20J

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:譚玉麗

    電話:19129491949(手機優先微信同號)0755-83267816

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 10001

  • IDT, Integrated Device Te

  • 68-LCC(J 形引線)

  • 12+

  • -
  • 授權分銷 現貨熱賣

  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
IDT7143LA20J PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IC SRAM 32KBIT 20NS 68PLCC
  • RoHS
  • 類別
  • 集成電路 (IC) >> 存儲器
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 45
  • 系列
  • -
  • 格式 - 存儲器
  • RAM
  • 存儲器類型
  • SRAM - 雙端口,異步
  • 存儲容量
  • 128K(8K x 16)
  • 速度
  • 15ns
  • 接口
  • 并聯
  • 電源電壓
  • 3 V ~ 3.6 V
  • 工作溫度
  • 0°C ~ 70°C
  • 封裝/外殼
  • 100-LQFP
  • 供應商設備封裝
  • 100-TQFP(14x14)
  • 包裝
  • 托盤
  • 其它名稱
  • 70V25S15PF
IDT7143LA20J 技術參數
  • IDT71256TTSA25Y8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT71256TTSA25Y 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT71256TTSA15Y8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT71256TTSA15Y 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT71256TTSA12Y8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT7164L35YG IDT7164L35YG8 IDT7164L35YGI IDT7164L35YGI8 IDT7164LS20Y IDT7164LS20Y8 IDT7164S20TP IDT7164S20TPI IDT7164S20Y IDT7164S20Y8 IDT7164S20YI IDT7164S20YI8 IDT7164S35TPG IDT7164S35YG IDT7164S35YG8 IDT7164S35YGI IDT7164S35YGI8 IDT71P71604S167BQ
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