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IDT71589

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  • IDT71589S20Y
    IDT71589S20Y

    IDT71589S20Y

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • IDT71589AS20Y
    IDT71589AS20Y

    IDT71589AS20Y

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • IDT71589SA20Y
    IDT71589SA20Y

    IDT71589SA20Y

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • IDT71589SA25Y
    IDT71589SA25Y

    IDT71589SA25Y

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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    聯(lián)系人:劉先生

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    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • 標準封裝

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IDT71589 技術(shù)參數(shù)
  • IDT71256TTSA25Y8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT71256TTSA25Y 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT71256TTSA15Y8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT71256TTSA15Y 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT71256TTSA12Y8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT7164L35YG IDT7164L35YG8 IDT7164L35YGI IDT7164L35YGI8 IDT7164LS20Y IDT7164LS20Y8 IDT7164S20TP IDT7164S20TPI IDT7164S20Y IDT7164S20Y8 IDT7164S20YI IDT7164S20YI8 IDT7164S35TPG IDT7164S35YG IDT7164S35YG8 IDT7164S35YGI IDT7164S35YGI8 IDT71P71604S167BQ
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