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IRF530PBF-VI

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    IRF530PBF-VI

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 12714

  • IR

  • N/A

  • 2025+

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IRF530PBF-VI 技術參數
  • IRF530N,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):633pF @ 25V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF530 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):458pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF520 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):270 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):460pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IR-EK2 功能描述:INFRARED GAS SENSOR EVAL KIT 制造商:sgx sensortech 系列:- 零件狀態:在售 傳感器類型:氣體 感應范圍:- 接口:USB 靈敏度:- 電壓 - 電源:8.1 V ~ 9.9 V 嵌入式:- 所含物品:板,電纜,電源,配件 使用的 IC/零件:- 標準包裝:25 IRD-LPC2468-DEV 功能描述:LPC2468 Industrial Reference Design LPC2400 MCU 32-Bit ARM7 Embedded Evaluation Board 制造商:future designs inc. 系列:LPC2400 零件狀態:過期 板類型:評估平臺 類型:MCU 32-位 核心處理器:ARM7 操作系統:RTOS 平臺:工業參考設計 配套使用產品/相關產品:LPC2468 安裝類型:固定 內容:板,電纜,LCD,電源,配件 標準包裝:1 IRF540L IRF540N_R4942 IRF540NL IRF540NLPBF IRF540NPBF IRF540NSPBF IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRRPBF IRF540PBF IRF540S IRF540SPBF IRF540STRL IRF540STRLPBF IRF540STRR IRF540STRRPBF IRF540Z IRF540ZL IRF540ZLPBF
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