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IS41LV8512-35T

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制造商
ICSI
制造商全稱
Integrated Circuit Solution Inc
功能描述
512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

IS41LV8512-35T 技術參數

IS41LV16257C-35TLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 4M, 3.3V, 35ns 256Kx16 動態(tài)隨機存取存儲器 Async RoHS:否制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS41LV16257C-35TLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 4M, 3.3V, 35ns 256Kx16 動態(tài)隨機存取存儲器 Async RoHS:否制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS41LV16256C-35TLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 4M, 3.3V EDO 動態(tài)隨機存取存儲器 Async,256Kx16,35ns RoHS:否制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS41LV16256C-35TLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 4M,3.3V EDO 動態(tài)隨機存取存儲器 Async,256Kx16,35ns RoHS:否制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS41LV16105C-50TLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 動態(tài)隨機存取存儲器 Async RoHS:否制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS42RM16160K-6BLI IS42RM16160K-6BLI-TR IS42RM16160K-75BLI IS42RM16160K-75BLI-TR IS42RM16200C-75BLI IS42RM16200C-75BLI-TR IS42RM16200D-6BLI IS42RM16200D-6BLI-TR IS42RM16200D-75BLI IS42RM16200D-75BLI-TR IS42RM16800G-6BLI IS42RM16800G-6BLI-TR IS42RM16800G-75BLI IS42RM16800G-75BLI-TR IS42RM16800H-6BLI IS42RM16800H-6BLI-TR IS42RM16800H-75BLI IS42RM16800H-75BLI-TR