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IS61DDB44M18-250M3

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制造商
ISSI
制造商全稱
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述
72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs

IS61DDB44M18-250M3 技術參數

IS61DDB42M36A-300M3L 功能描述:靜態隨機存取存儲器 72Mb 2Mx36 165ball DDR II Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB42M18A-250M3L 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36Mb 2Mx18 165ball DDR II Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB42M18-250M3L 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36M (2Mx18) 250ns DDR II Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB42M18-250M3 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36Mb 2Mbx18 DDR II Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB41M36A-300M3LI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36Mb 1Mx36 165ball DDR II Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDP2B41M36A-400M3L IS61DDP2B42M18A-400M3L IS61DDP2B42M36A-400M3L IS61DDP2B44M18A-400M3L IS61DDP2B451236A-400M3L IS61DDPB21M18A-400M3L IS61DDPB21M36A-400M3L IS61DDPB22M18A-400M3L IS61DDPB22M36A-400M3L IS61DDPB24M18A-400M3L IS61DDPB251236A-400M3L IS61DDPB41M18A-400M3L IS61DDPB41M36A-400M3L IS61DDPB42M18A-400M3L IS61DDPB42M36A-400M3L IS61DDPB44M18A-400M3L IS61DDPB451236A-400M3L IS61LF102418A-6.5TQL