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IS61LSCS25672-250B.

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IS61LSCS25672-250B.
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
1000
ISSI
BGA
2012+
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只做原裝正品。

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IS61LSCS25672-250B. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

IS61LSCS25672-250B. 技術參數

IS61LPS51236B-200TQLI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:18M（512K x 36）速度:200MHz 接口:并聯電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:100-LQFP 供應商器件封裝:100-LQFP（14x20）標準包裝:72 IS61LPS51236B-200B3LI 功能描述:IC SRAM 8MBIT 200MHZ 165BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:18M（512K x 36）速度:200MHz 接口:并聯電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:165-TBGA 供應商器件封裝:165-TFBGA（13x15）標準包裝:144 IS61LPS51236A-250B3-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18Mb 512Kx36 250MHz Sync 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61LPS51236A-250B3LI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18Mb 512Kx36 250MHz Sync 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61LPS51236A-250B3LI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18Mb 512Kx36 250MHz Sync 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61LV12816L-10TI IS61LV12816L-10TI-TR IS61LV12816L-10TL IS61LV12816L-10TLI IS61LV12816L-10TLI-TR IS61LV12816L-10TL-TR IS61LV12816L-8TL IS61LV12816L-8TL-TR IS61LV12824-10B IS61LV12824-10BL IS61LV12824-10BL-TR IS61LV12824-10B-TR IS61LV12824-10TQ IS61LV12824-10TQI IS61LV12824-10TQI-TR IS61LV12824-10TQLI IS61LV12824-10TQLI-TR IS61LV12824-10TQ-TR