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IS6N6416-12T

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IS6N6416-12T 技術(shù)參數(shù)
  • IS66WVH8M8BLL-100B1LI 功能描述:64MB HYPERRAM 8MBX8 3.0V 100MHZ 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:PSRAM(偽) 存儲(chǔ)容量:64M(8M x 8) 速度:100MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-TFBGA(6x8) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:480 IS66WVH8M8ALL-166B1LI 功能描述:64MB HYPERRAM 8MBX8 1.8V 166MHZ 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:PSRAM(偽) 存儲(chǔ)容量:64M(8M x 8) 速度:166MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-TFBGA(6x8) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:480 IS66WVH16M8BLL-100B1LI 功能描述:IC PSRAM 128MBIT 100MHZ 24BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:PSRAM(偽) 存儲(chǔ)容量:128M(16M x 8) 速度:100MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-TFBGA(6x8) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS66WVH16M8ALL-166B1LI 功能描述:IC PSRAM 128MBIT 166MHZ 24BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:PSRAM(偽) 存儲(chǔ)容量:128M(16M x 8) 速度:166MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-TFBGA(6x8) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS66WVE4M16ECLL-70BLI 功能描述:IC SRAM 64MB 55NS 48BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:PSRAM(偽) 存儲(chǔ)容量:64M(4M x 16) 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:48-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-TFBGA(6x8) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:480 IS82C52Z IS82C52Z96 IS82C54 IS82C54-10 IS82C54-1096 IS82C54-10Z IS82C54-10Z96 IS82C5496 IS82C54Z IS82C54Z96 IS82C55A IS82C55A-5 IS82C55A-5Z IS82C55A-5Z96 IS82C55A96 IS82C55AZ IS82C55AZ96 IS82C59A
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