欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置：買賣IC網 > I字母型號搜索 > I字母第772頁 >

IXGK55N120A3H1

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • IXGK55N120A3H1
    IXGK55N120A3H1

    IXGK55N120A3H1

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：15961889150

    地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質：營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-264/TO-3PL

  • 25+

  • -

  • 國產品牌，替代進口

  • IXGK55N120A3H1
    IXGK55N120A3H1

    IXGK55N120A3H1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • IXYS

  • TO-264

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現貨！

  • IXGK55N120A3H1
    IXGK55N120A3H1

    IXGK55N120A3H1

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業執照

  • 52388

  • IXYS/艾賽斯

  • TO-264U

  • 24+

  • -

  • 原裝正品 華強現貨

  • IXGK55N120A3H1
    IXGK55N120A3H1

    IXGK55N120A3H1

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

  • 7800

  • IXYS

  • TO-264

  • 08+

  • -

  • 絕對公司原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
IXGK55N120A3H1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 模塊 Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 產品
  • IGBT Silicon Modules
  • 配置
  • Dual
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 600 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 1.95 V
  • 在25 C的連續集電極電流
  • 230 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 445 W
  • 最大工作溫度
  • + 125 C
  • 封裝 / 箱體
  • 34MM
  • 封裝
IXGK55N120A3H1 技術參數
  • IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶體管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IXG611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IXF6401BEC7A1835148 功能描述:IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 電信 系列:- 產品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產品變化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 標準包裝:750 系列:* IXF611S1T/R 功能描述:功率驅動器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXGK82N120B3 IXGL200N60B3 IXGL50N60BD1 IXGL75N250 IXGM40N60A IXGN100N120 IXGN100N160A IXGN100N170 IXGN120N60A3 IXGN120N60A3D1 IXGN200N60 IXGN200N60A IXGN200N60A2 IXGN200N60B IXGN200N60B3 IXGN320N60A3 IXGN400N30A3 IXGN400N60A3
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發布成功！您可以繼續發布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發布成功！您可以繼續發布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*
配單專家

在采購IXGK55N120A3H1進貨過程中，您使用搜索有什么問題和建議？點此反饋

友情提醒：為規避購買IXGK55N120A3H1產品風險，建議您在購買IXGK55N120A3H1相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明：以上所展示的IXGK55N120A3H1信息由會員自行提供，IXGK55N120A3H1內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板： 大化| 华宁县| 苍溪县| 原平市| 左贡县| 昌平区| 海兴县| 西青区| 金平| 文山县| 贵定县| 江口县| 黎川县| 临安市| 平罗县| 蒙城县| 普洱| 武义县| 察隅县| 五台县| 东乡县| 礼泉县| 牙克石市| 田东县| 萨迦县| 昔阳县| 伊宁县| 广灵县| 交口县| 连江县| 深圳市| 吉木乃县| 藁城市| 武定县| 西贡区| 安化县| 玉山县| 河间市| 甘泉县| 滨海县| 临猗县|