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IXSK30N60CD1

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • IXSK30N60CD1
    IXSK30N60CD1

    IXSK30N60CD1

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-264/TO-3PL

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • IXSK30N60CD1
    IXSK30N60CD1

    IXSK30N60CD1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • IXYS

  • TO-264

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!

  • IXSK30N60CD1
    IXSK30N60CD1

    IXSK30N60CD1

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 72369

  • IXYS

  • TO-264-3, TO-264AA

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • IXSK30N60CD1
    IXSK30N60CD1

    IXSK30N60CD1

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/曹先生/高先生

    電話:137602720171348786585218520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 42064

  • IXYS

  • TO-264-3, TO-264AA

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
IXSK30N60CD1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
IXSK30N60CD1 技術參數
  • IXS839S1T/R 功能描述:功率驅動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839S1 功能描述:功率驅動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839BQ2T/R 功能描述:功率驅動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839BQ2 功能描述:功率驅動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839AQ2T/R 功能描述:功率驅動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXSN35N120AU1 IXSN50N60BD2 IXSN50N60BD3 IXSN52N60AU1 IXSN55N120A IXSN55N120AU1 IXSN62N60U1 IXSN80N60AU1 IXSN80N60BD1 IXSP10N60B2D1 IXSP15N120B IXSP20N60B2D1 IXSP24N60B IXSQ20N60B2D1 IXSR35N120BD1 IXSR40N60BD1 IXSR40N60CD1 IXSR50N60B
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