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JAN1N3023DTR

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
1 WATT METAL CASE ZENER DIODES

JAN1N3023DTR 技術參數

JAN1N3023D-1 功能描述:Zener Diode 13V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3023CUR-1 功能描述:Zener Diode 13V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JAN1N3023C-1 功能描述:Zener Diode 13V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3023BUR-1 功能描述:Zener Diode 13V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JAN1N3023B-1 功能描述:Zener Diode 13V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3025C-1 JAN1N3025CUR-1 JAN1N3025D-1 JAN1N3025DUR-1 JAN1N3026B-1 JAN1N3026BUR-1 JAN1N3026C-1 JAN1N3026CUR-1 JAN1N3026D-1 JAN1N3026DUR-1 JAN1N3027B-1 JAN1N3027BUR-1 JAN1N3027C-1 JAN1N3027CUR-1 JAN1N3027D-1 JAN1N3027DUR-1 JAN1N3028BUR-1 JAN1N3028C-1