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JAN1N3032CTR

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
1 WATT METAL CASE ZENER DIODES

JAN1N3032CTR 技術參數

JAN1N3032C-1 功能描述:Zener Diode 33V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3032BUR-1 功能描述:Zener Diode 33V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JAN1N3032B-1 功能描述:Zener Diode 33V 1W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1 JAN1N3031DUR-1 功能描述:Zener Diode 30V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JAN1N3031D-1 功能描述:Zener Diode 30V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3034B-1 JAN1N3034BUR-1 JAN1N3034C-1 JAN1N3034CUR-1 JAN1N3034D-1 JAN1N3034DUR-1 JAN1N3035B-1 JAN1N3035BUR-1 JAN1N3035C-1 JAN1N3035CUR-1 JAN1N3035D-1 JAN1N3035DUR-1 JAN1N3036B-1 JAN1N3036BUR-1 JAN1N3036C-1 JAN1N3036CUR-1 JAN1N3036D-1 JAN1N3036DUR-1