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JAN1N3040TRUR-1

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JAN1N3040TRUR-1 技術參數
  • JAN1N3040DUR-1 功能描述:Zener Diode 68V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 51.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41） 標準包裝:1 JAN1N3040D-1 功能描述:Zener Diode 68V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 51.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3040CUR-1 功能描述:Zener Diode 68V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 51.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41） 標準包裝:1 JAN1N3040C-1 功能描述:Zener Diode 68V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 51.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3040BUR-1 功能描述:Zener Diode 68V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 51.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41） 標準包裝:1 JAN1N3042CUR-1 JAN1N3042D-1 JAN1N3042DUR-1 JAN1N3043B-1 JAN1N3043BUR-1 JAN1N3043C-1 JAN1N3043CUR-1 JAN1N3043D-1 JAN1N3043DUR-1 JAN1N3044B-1 JAN1N3044BUR-1 JAN1N3044C-1 JAN1N3044CUR-1 JAN1N3044D-1 JAN1N3044DUR-1 JAN1N3045B-1 JAN1N3045BUR-1 JAN1N3045C-1
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