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JAN1N4128CURTR

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JAN1N4128CURTR 技術參數

JAN1N4128CUR-1 功能描述:Zener Diode 60V ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:60V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:400 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 45.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4128C-1 功能描述:Zener Diode 60V ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:60V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:400 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 45.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N4128-1 功能描述:Zener Diode 60V ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:60V 容差:±5% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:400 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 45.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N4127UR-1 功能描述:Zener Diode 56V ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:300 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 42.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4127DUR-1 功能描述:Zener Diode 56V ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:300 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 42.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4130-1 JAN1N4130C-1 JAN1N4130CUR-1 JAN1N4130D-1 JAN1N4130DUR-1 JAN1N4130UR-1 JAN1N4131-1 JAN1N4131C-1 JAN1N4131CUR-1 JAN1N4131D-1 JAN1N4131DUR-1 JAN1N4131UR-1 JAN1N4132-1 JAN1N4132C-1 JAN1N4132CUR-1 JAN1N4132D-1 JAN1N4132DUR-1 JAN1N4132UR-1