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JAN1N5540BURTR

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JAN1N5540BURTR 技術參數
  • JAN1N5540BUR-1 功能描述:Zener Diode 20V 500mW ±5% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5540B-1 功能描述:Zener Diode 20V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標準包裝:1 JAN1N5539DUR-1 功能描述:Zener Diode 19V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 17.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5539D-1 功能描述:Zener Diode 19V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 17.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標準包裝:1 JAN1N5539CUR-1 功能描述:Zener Diode 19V 500mW ±2% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 17.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5541DUR-1 JAN1N5542B-1 JAN1N5542BUR-1 JAN1N5542C-1 JAN1N5542CUR-1 JAN1N5542D-1 JAN1N5542DUR-1 JAN1N5543B-1 JAN1N5543BUR-1 JAN1N5543C-1 JAN1N5543CUR-1 JAN1N5543D-1 JAN1N5543DUR-1 JAN1N5544B-1 JAN1N5544BUR-1 JAN1N5544C-1 JAN1N5544CUR-1 JAN1N5544D-1
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