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JAN1N5544BURTR

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JAN1N5544BURTR 技術參數

JAN1N5544BUR-1 功能描述:Zener Diode 28V 500mW ±5% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:28V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5544B-1 功能描述:Zener Diode 28V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:28V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N5543DUR-1 功能描述:Zener Diode 25V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:25V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 22.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5543D-1 功能描述:Zener Diode 25V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:25V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 22.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N5543CUR-1 功能描述:Zener Diode 25V 500mW ±2% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:25V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 22.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5545DUR-1 JAN1N5546B-1 JAN1N5546BUR-1 JAN1N5546C-1 JAN1N5546CUR-1 JAN1N5546D-1 JAN1N5546DUR-1 JAN1N5550 JAN1N5550US JAN1N5551 JAN1N5551US JAN1N5552 JAN1N5552US JAN1N5553 JAN1N5553US JAN1N5554 JAN1N5554US JAN1N5555