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JAN1N6494

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JAN1N6494 技術參數

JAN1N649-1 功能描述:Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/240 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N6490US 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/406 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 標準包裝:1 JAN1N6490 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N6485US 功能描述:Zener Diode 3.3V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/406 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 標準包裝:1 JAN1N6476US 功能描述:TVS DIODE 51.6VWM GSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/552 包裝:散裝零件狀態:在售類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:51.6V 電壓 - 擊穿（最小值）:54V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:107A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，G 供應商器件封裝:G-MELF（D-5C）標準包裝:1 JAN1N6622U JAN1N6622US JAN1N6623 JAN1N6623U JAN1N6623US JAN1N6624 JAN1N6624U JAN1N6624US JAN1N6625 JAN1N6625U JAN1N6625US JAN1N6626 JAN1N6626U JAN1N6626US JAN1N6627 JAN1N6627U JAN1N6627US JAN1N6628