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JAN1N957C-1

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JAN1N957C-1 技術參數
  • JAN1N945B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N944B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N943B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N941B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N938B-1 功能描述:Zener Diode 9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/156 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N963CUR-1 JAN1N963D-1 JAN1N963DUR-1 JAN1N964B-1 JAN1N964BUR-1 JAN1N964C-1 JAN1N964CUR-1 JAN1N964D-1 JAN1N964DUR-1 JAN1N965B-1 JAN1N965BUR-1 JAN1N965C-1 JAN1N965CUR-1 JAN1N965D-1 JAN1N965DUR-1 JAN1N966B-1 JAN1N966BUR-1 JAN1N966C-1
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