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JAN1N958-1

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JAN1N958-1 技術(shù)參數(shù)

JAN1N945B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N944B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N943B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N941B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N938B-1 功能描述:Zener Diode 9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/156 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N963CUR-1 JAN1N963D-1 JAN1N963DUR-1 JAN1N964B-1 JAN1N964BUR-1 JAN1N964C-1 JAN1N964CUR-1 JAN1N964D-1 JAN1N964DUR-1 JAN1N965B-1 JAN1N965BUR-1 JAN1N965C-1 JAN1N965CUR-1 JAN1N965D-1 JAN1N965DUR-1 JAN1N966B-1 JAN1N966BUR-1 JAN1N966C-1