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JAN1N983-1

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JAN1N983-1 技術參數
  • JAN1N982DUR-1 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):270 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N982D-1 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):270 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N982CUR-1 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):270 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N982C-1 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):270 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N982BUR-1 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):270 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N984CUR-1 JAN1N984D-1 JAN1N984DUR-1 JAN1N985BUR-1 JAN1N985C-1 JAN1N985CUR-1 JAN1N985D-1 JAN1N985DUR-1 JAN1N986B-1 JAN1N986BUR-1 JAN1N986C-1 JAN1N986CUR-1 JAN1N986D-1 JAN1N986DUR-1 JAN2N1016B JAN2N1016C JAN2N1016D JAN2N1479
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