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JAN1N985D

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操作

JAN1N985D-1
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
DO-204AH
23+
-
微芯專營優勢產品

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JAN1N985D 技術參數

JAN1N985CUR-1 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N985C-1 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N985BUR-1 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N984DUR-1 功能描述:Zener Diode 91V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:91V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:400 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 69V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N984D-1 功能描述:Zener Diode 91V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:91V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:400 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 69V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN2N1016C JAN2N1016D JAN2N1479 JAN2N1482 JAN2N1485 JAN2N1486 JAN2N1489 JAN2N1613 JAN2N1711 JAN2N1893 JAN2N1893S JAN2N2060L JAN2N2218 JAN2N2218A JAN2N2218AL JAN2N2219 JAN2N2219A JAN2N2219AL