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JAN1N985UR-1

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JAN1N985UR-1 技術參數
  • JAN1N985DUR-1 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):100V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N985D-1 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):100V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N985CUR-1 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):100V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N985C-1 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):100V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N985BUR-1 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN2N1479 JAN2N1482 JAN2N1485 JAN2N1486 JAN2N1489 JAN2N1613 JAN2N1711 JAN2N1893 JAN2N1893S JAN2N2060L JAN2N2218 JAN2N2218A JAN2N2218AL JAN2N2219 JAN2N2219A JAN2N2219AL JAN2N2221A JAN2N2221AL
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