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JANS2N2920U

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

JANS2N2920U
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
6-SMD
23+
-
微芯專營優勢產品

JANS2N2920U
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
50
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現貨庫存F

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您是不是要找： JANS2N3019 JANS2N3439 JANS2N3439U4 JANS2N3439UA JANS2N3440 JANS2N3440U4 JANS2N3440UA JANS2N3499L JANS2N3499L/TR

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JANS2N2920U PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6-Pin Case U
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
NPN DUAL TRANSISTORS - Waffle Pack
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
NPN DUAL TRANSISTORS - Bulk

JANS2N2920U 技術參數

JANS2N2920 功能描述:TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/355 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 100μA，1mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 JANS2N2907A 功能描述:TRANS PNP 60V 0.6A TO18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/291 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）標準包裝:1 JANS2N2369AUB 功能描述:TRANS NPN 15V SMD 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/317 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JANS2N2222A 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/255 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18（TO-206AA）標準包裝:1 JANS1N943BUR-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS2N3500 JANS2N3501 JANS2N3634UB JANS2N3637 JANS2N3637UB JANS2N3700 JANS2N3763 JANS2N3867 JANS2N4150 JANS2N5004 JANS2N5339U3 JANS2N5415 JANS2N5415UA JANS2N5416 JANS2N5416U4 JANS2N5416UA JANS2N5665 JANS2N5666U3